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codice articolo del costruttore | APTGT100DA170D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT100DA170D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT100DA170D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 695W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 8.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100DA170D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT100DA170D1G-FT |
6PS03012E33G34160NOSA1
Infineon Technologies
6PS04512E43W39693NOSA1
Infineon Technologies
6PS18012E4FG35689NWSA1
Infineon Technologies
6PS18012E4FG42192NWSA1
Infineon Technologies
A1P50S65M2
STMicroelectronics
A2C50S65M2
STMicroelectronics
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation
APTCV60TLM24T3G
Microsemi Corporation
APTCV60TLM70T3G
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG400C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
5CEBA2F17C8N
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation