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Microsemi Corporation APTGT100DA170D1G

Numero parte MFG
APTGT100DA170D1G
quantità disponibile
25800 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- IGBT 1700V 200A 695W D1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Moduli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore APTGT100DA170D1G
Numero di parte futuro FT-APTGT100DA170D1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTGT100DA170D1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200A
Potenza - Max 695W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 8.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso D1
Pacchetto dispositivo fornitore D1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT100DA170D1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTGT100DA170D1G-FT

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