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codice articolo del costruttore | APTGT100DA120D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT100DA120D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT100DA120D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 520W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100DA120D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT100DA120D1G-FT |
6MS30017E43W38169NOSA1
Infineon Technologies
6MS30017E43W40372NOSA1
Infineon Technologies
6PS03012E33G34160NOSA1
Infineon Technologies
6PS04512E43W39693NOSA1
Infineon Technologies
6PS18012E4FG35689NWSA1
Infineon Technologies
6PS18012E4FG42192NWSA1
Infineon Technologies
A1P50S65M2
STMicroelectronics
A2C50S65M2
STMicroelectronics
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation