casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGL475DA120D3G
codice articolo del costruttore | APTGL475DA120D3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGL475DA120D3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGL475DA120D3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 610A |
Potenza - Max | 2080W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 400A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 24.6nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGL475DA120D3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGL475DA120D3G-FT |
FS200R07N3E4RBOSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RB11BOSA1
Infineon Technologies
FS25R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FS25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FS35R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FS50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FS50R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS50R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
FS50R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
XC2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C4N
Intel
EP4CGX110CF23C7
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EP2AGX65DF25C6N
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EP3SL110F1152C3
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LFX200EB-04F256C
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LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
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