casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS50R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS50R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS50R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS50R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS50R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS50R12KT3BOSA1-FT |
FF600R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4PBOSA1
Infineon Technologies
FS450R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
FZ1600R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
XC3S200-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
EP4SGX230KF40I4N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
LFXP20C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YF780I6G
Intel
EP2S130F780I4N
Intel