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Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CL C0G

Name: TSM80N1R2CL C0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM80N1R2CL C0G
Price: 1.712 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (481 reviews)

Numero parte MFG: TSM80N1R2CL C0G

quantità disponibile: 85910 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.712

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM80N1R2CL C0G.pdf

TSM80N1R2CL C0G specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM80N1R2CL C0G
Numero di parte futuro	FT-TSM80N1R2CL C0G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM80N1R2CL C0G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.4nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	685pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262S (I2PAK)
Pacchetto / caso	TO-262-3 Short Leads, I²Pak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM80N1R2CL C0G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM80N1R2CL C0G-FT

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