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Infineon Technologies IAUS165N08S5N029ATMA1

Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1
Price: 1.748336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (521 reviews)

Numero parte MFG: IAUS165N08S5N029ATMA1

quantità disponibile: 80930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.748336

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IAUS165N08S5N029ATMA1.pdf

IAUS165N08S5N029ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IAUS165N08S5N029ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IAUS165N08S5N029ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IAUS165N08S5N029ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	165A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HSOG-8-1
Pacchetto / caso	8-PowerSMD, Gull Wing
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUS165N08S5N029ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IAUS165N08S5N029ATMA1-FT

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