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Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30

Name: APT70GR65B2SCD30
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT70GR65B2SCD30
Availability: InStock
Rating: 4.9 (410 reviews)

Numero parte MFG: APT70GR65B2SCD30

quantità disponibile: 51860 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: * INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT70GR65B2SCD30.pdf

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APT70GR65B2SCD30 specificazioni

codice articolo del costruttore	APT70GR65B2SCD30
Numero di parte futuro	FT-APT70GR65B2SCD30
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	*
APT70GR65B2SCD30 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	134A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 70A
Potenza - Max	595W
Cambiare energia	-
Tipo di input	-
Carica del cancello	305nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	19ns/170ns
Condizione di test	433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	T-MAX™ [B2]
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT70GR65B2SCD30 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT70GR65B2SCD30-FT

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