casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXGL200N60B3
codice articolo del costruttore | IXGL200N60B3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXGL200N60B3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™ |
IXGL200N60B3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 100A |
Potenza - Max | 400W |
Cambiare energia | 1.6mJ (on), 2.9mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 750nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 44ns/310ns |
Condizione di test | 300V, 100A, 1 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOPLUS264™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS264™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGL200N60B3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGL200N60B3-FT |
IKZ75N65EL5XKSA1
Infineon Technologies
IKY50N120CH3XKSA1
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IKZ50N65EH5XKSA1
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IKZ75N65ES5XKSA1
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IKZ50N65ES5XKSA1
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IGZ50N65H5XKSA1
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IGZ100N65H5XKSA1
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XA3S250E-4PQG208Q
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XC7S75-1FGGA484C
Xilinx Inc.
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5SGXEA7K2F40I3N
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5SGXEB5R3F40I3N
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EP4CE15E22C9LN
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APA075-TQ100A
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LFE2M35E-6F672C
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EP4SGX360HF35C4N
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