casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGYA120M65DF2AG
codice articolo del costruttore | STGYA120M65DF2AG |
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Numero di parte futuro | FT-STGYA120M65DF2AG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
STGYA120M65DF2AG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 360A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 120A |
Potenza - Max | 625W |
Cambiare energia | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 420nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 66ns/185ns |
Condizione di test | 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 202ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAX247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGYA120M65DF2AG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGYA120M65DF2AG-FT |
IKW75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies
AUIRGPS4070D0
Infineon Technologies
IKFW50N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies
IKFW50N60DH3XKSA1
Infineon Technologies
IKFW40N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies
IKFW60N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies
IKZ75N65EL5XKSA1
Infineon Technologies
IKY50N120CH3XKSA1
Infineon Technologies
IKZ50N65EH5XKSA1
Infineon Technologies
IKZ75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
A54SX16-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4N
Intel
5SGXMA5N1F40C2N
Intel
5SGSMD5K2F40C1
Intel
A42MX16-2TQ176
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6
Intel
EP4SGX70HF35I3N
Intel