casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGYA120M65DF2AG
codice articolo del costruttore | STGYA120M65DF2AG |
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Numero di parte futuro | FT-STGYA120M65DF2AG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
STGYA120M65DF2AG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 360A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 120A |
Potenza - Max | 625W |
Cambiare energia | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 420nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 66ns/185ns |
Condizione di test | 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 202ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAX247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGYA120M65DF2AG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGYA120M65DF2AG-FT |
IKW75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies
AUIRGPS4070D0
Infineon Technologies
IKFW50N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies
IKFW50N60DH3XKSA1
Infineon Technologies
IKFW40N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies
IKFW60N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies
IKZ75N65EL5XKSA1
Infineon Technologies
IKY50N120CH3XKSA1
Infineon Technologies
IKZ50N65EH5XKSA1
Infineon Technologies
IKZ75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU040-2FBVA676I
Xilinx Inc.
LAE3-35EA-6LFTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
EP4CE75F23C7N
Intel
EP3SE260F1517C3N
Intel
EP4SE530F43C2N
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQ160
Microsemi Corporation