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Microsemi Corporation APT65GP60L2DQ2G

Numero parte MFG
APT65GP60L2DQ2G
quantità disponibile
20940 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 15.11904
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS 7® IGBT 600V 198A 833W TO264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APT65GP60L2DQ2G specificazioni

codice articolo del costruttore APT65GP60L2DQ2G
Numero di parte futuro FT-APT65GP60L2DQ2G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APT65GP60L2DQ2G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 198A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Potenza - Max 833W
Cambiare energia 605µJ (on), 895µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 210nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/90ns
Condizione di test 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitore -
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT65GP60L2DQ2G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT65GP60L2DQ2G-FT

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