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Microsemi Corporation APT75GN60B2DQ3G

Name: APT75GN60B2DQ3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT75GN60B2DQ3G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (227 reviews)

Numero parte MFG: APT75GN60B2DQ3G

quantità disponibile: 99600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - IGBT 600V 155A 536W TO264

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT75GN60B2DQ3G.pdf

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APT75GN60B2DQ3G specificazioni

codice articolo del costruttore	APT75GN60B2DQ3G
Numero di parte futuro	FT-APT75GN60B2DQ3G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APT75GN60B2DQ3G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	155A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 75A
Potenza - Max	536W
Cambiare energia	2500µJ (on), 2140µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	485nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	47ns/385ns
Condizione di test	400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT75GN60B2DQ3G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT75GN60B2DQ3G-FT

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