casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT6017LFLLG
codice articolo del costruttore | APT6017LFLLG |
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Numero di parte futuro | FT-APT6017LFLLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT6017LFLLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT6017LFLLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT6017LFLLG-FT |
PMV27UPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV280ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV28UNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV32UP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV35EPER
Nexperia USA Inc.
PMV42ENER
Nexperia USA Inc.
PMV450ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV48XP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV50ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV55ENEAR
Nexperia USA Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel