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Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Name: APT35GP120B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT35GP120B2DQ2G
Price: 17.36 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (768 reviews)

Numero parte MFG: APT35GP120B2DQ2G

quantità disponibile: 58900 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 17.36

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 7® IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT35GP120B2DQ2G.pdf

APT35GP120B2DQ2G specificazioni

codice articolo del costruttore	APT35GP120B2DQ2G
Numero di parte futuro	FT-APT35GP120B2DQ2G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APT35GP120B2DQ2G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	96A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 35A
Potenza - Max	543W
Cambiare energia	750µJ (on), 680µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	150nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	16ns/95ns
Condizione di test	600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT35GP120B2DQ2G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT35GP120B2DQ2G-FT

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