casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT34F60BG
codice articolo del costruttore | APT34F60BG |
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Numero di parte futuro | FT-APT34F60BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT34F60BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 624W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT34F60BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT34F60BG-FT |
PMPB55ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEAX
Nexperia USA Inc.
APT5010LLLG
Microsemi Corporation
APT38F80L
Microsemi Corporation
APT12057LFLLG
Microsemi Corporation
APT44F80L
Microsemi Corporation
APT20M22LVRG
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Microsemi Corporation