casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT5010LLLG
codice articolo del costruttore | APT5010LLLG |
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Numero di parte futuro | FT-APT5010LLLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT5010LLLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT5010LLLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT5010LLLG-FT |
PMV50UPE,215
Nexperia USA Inc.
PMV50EPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV130ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV32UP,215
Nexperia USA Inc.
PMV75UP,215
Nexperia USA Inc.
2N7002E,215
Nexperia USA Inc.
2N7002F,215
Nexperia USA Inc.
BSH103,235
Nexperia USA Inc.
BSH105,215
Nexperia USA Inc.
BSH105,235
Nexperia USA Inc.