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Nexperia USA Inc. PMPB95ENEAX

Numero parte MFG
PMPB95ENEAX
quantità disponibile
54130 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.175168
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fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-PMPB95ENEAX
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PMPB95ENEAX Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.9nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 504pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020MD-6
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMPB95ENEAX Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PMPB95ENEAX-FT

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