casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT30M19JVFR
codice articolo del costruttore | APT30M19JVFR |
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Numero di parte futuro | FT-APT30M19JVFR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT30M19JVFR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 975nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30M19JVFR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT30M19JVFR-FT |
APT20F50B
Microsemi Corporation
APT20M38BVFRG
Microsemi Corporation
APT20N60BC3G
Microsemi Corporation
APT23F60B
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APT28F60B
Microsemi Corporation
APT30M85BVFRG
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APT31N60BCSG
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APT34F60BG
Microsemi Corporation
APT40SM120B
Microsemi Corporation
APT5014SLLG/TR
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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EPF10K100AFC484-3
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation