casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT23F60B
codice articolo del costruttore | APT23F60B |
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Numero di parte futuro | FT-APT23F60B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT23F60B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4415pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 415W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT23F60B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT23F60B-FT |
PMPB43XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB47XP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB48EP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB50ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEAX
Nexperia USA Inc.
APT5010LLLG
Microsemi Corporation
APT38F80L
Microsemi Corporation
APT12057LFLLG
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel