casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT20M45BVFRG
codice articolo del costruttore | APT20M45BVFRG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT20M45BVFRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT20M45BVFRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4860pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20M45BVFRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT20M45BVFRG-FT |
BUK9D23-40EX
Nexperia USA Inc.
PMPB12UNEX
Nexperia USA Inc.
PMPB25ENEX
Nexperia USA Inc.
PMPB29XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB50ENEX
Nexperia USA Inc.
PMPB10XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB12UNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB20XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNEAX
Nexperia USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel