casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMPB12UNEX
codice articolo del costruttore | PMPB12UNEX |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB12UNEX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMPB12UNEX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 470mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020MD-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB12UNEX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB12UNEX-FT |
BSS138BK,215
Nexperia USA Inc.
PMV40UN2R
Nexperia USA Inc.
BSS123,215
Nexperia USA Inc.
NX2301P,215
Nexperia USA Inc.
BSH103,215
Nexperia USA Inc.
BSS84AK,215
Nexperia USA Inc.
PMV213SN,215
Nexperia USA Inc.
NX3008NBK,215
Nexperia USA Inc.
PMV45EN2R
Nexperia USA Inc.
PMV65XP,215
Nexperia USA Inc.
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel