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codice articolo del costruttore | PMPB12UNEAX |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB12UNEAX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
PMPB12UNEAX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 0.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.22nF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta), 12.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020MD-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB12UNEAX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB12UNEAX-FT |
BSS84AK,215
Nexperia USA Inc.
PMV213SN,215
Nexperia USA Inc.
NX3008NBK,215
Nexperia USA Inc.
PMV45EN2R
Nexperia USA Inc.
PMV65XP,215
Nexperia USA Inc.
PMBF170,215
Nexperia USA Inc.
BSH111BKR
Nexperia USA Inc.
BSN20BKR
Nexperia USA Inc.
BSH203,215
Nexperia USA Inc.
NX3020NAK,215
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.