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Microsemi Corporation APT11F80B

Name: APT11F80B
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT11F80B
Price: 4.315792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (288 reviews)

Numero parte MFG: APT11F80B

quantità disponibile: 56210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 4.315792

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fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT11F80B.pdf

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APT11F80B specificazioni

codice articolo del costruttore	APT11F80B
Numero di parte futuro	FT-APT11F80B
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 8™
APT11F80B Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2471pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	337W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247 [B]
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT11F80B Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT11F80B-FT

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