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Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG

Name: APT10M11B2VFRG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT10M11B2VFRG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (213 reviews)

Numero parte MFG: APT10M11B2VFRG

quantità disponibile: 21680 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS V® MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT10M11B2VFRG.pdf

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APT10M11B2VFRG specificazioni

codice articolo del costruttore	APT10M11B2VFRG
Numero di parte futuro	FT-APT10M11B2VFRG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS V®
APT10M11B2VFRG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	450nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	520W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	T-MAX™
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT10M11B2VFRG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT10M11B2VFRG-FT

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