casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT10M09B2VFRG
codice articolo del costruttore | APT10M09B2VFRG |
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Numero di parte futuro | FT-APT10M09B2VFRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT10M09B2VFRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10M09B2VFRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT10M09B2VFRG-FT |
APT60M75L2FLLG
Microsemi Corporation
APT60M75L2LLG
Microsemi Corporation
APT60M80L2VRG
Microsemi Corporation
APT8024LLLG
Microsemi Corporation
APT8024LVRG
Microsemi Corporation
APT84F50L
Microsemi Corporation
APT7M120B
Microsemi Corporation
APT60N60BCSG
Microsemi Corporation
APT1204R7BFLLG
Microsemi Corporation
APT42F50B
Microsemi Corporation
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel