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Microsemi Corporation APT10M09B2VFRG

Numero parte MFG
APT10M09B2VFRG
quantità disponibile
67120 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS V® MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APT10M09B2VFRG specificazioni

codice articolo del costruttore APT10M09B2VFRG
Numero di parte futuro FT-APT10M09B2VFRG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS V®
APT10M09B2VFRG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9875pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT10M09B2VFRG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT10M09B2VFRG-FT

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