casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOWF11N60
codice articolo del costruttore | AOWF11N60 |
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Numero di parte futuro | FT-AOWF11N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOWF11N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 27.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262F |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF11N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOWF11N60-FT |
ZXM62N03GTA
Diodes Incorporated
ZXM62P03GTA
Diodes Incorporated
ZXM64N035GTA
Diodes Incorporated
ZXM64P035GTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A25G
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GTA
Diodes Incorporated
DMG6402LVT-7
Diodes Incorporated
DMN4060SVT-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel