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AOV11S60 Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOV11S60

Numero parte MFG
AOV11S60
quantità disponibile
81600 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.9636
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Data di spedizione
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fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descrizione
aMOS™ MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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AOV11S60 specificazioni

codice articolo del costruttore AOV11S60
Numero di parte futuro FT-AOV11S60
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie aMOS™
AOV11S60 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 650mA (Ta), 8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 156W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DFN-EP (8x8)
Pacchetto / caso 4-PowerTSFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOV11S60 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AOV11S60-FT

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