casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / C3M0065090J-TR
codice articolo del costruttore | C3M0065090J-TR |
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Numero di parte futuro | FT-C3M0065090J-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C3M™ |
C3M0065090J-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 15V |
Vgs (massimo) | +19V, -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 113W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3M0065090J-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3M0065090J-TR-FT |
DMT5015LFDF-7
Diodes Incorporated
DMN3021LFDF-7
Diodes Incorporated
DMT3008LFDF-7
Diodes Incorporated
DMP1009UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2035UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN1008UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-13
Diodes Incorporated
DMT6016LFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2040UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP1022UFDF-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel