casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON6926
codice articolo del costruttore | AON6926 |
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Numero di parte futuro | FT-AON6926 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON6926 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.9W, 2.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6926 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON6926-FT |
DMT3020LFDB-13
Diodes Incorporated
DMT3020LFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1030UFDBQ-13
Diodes Incorporated
DMN3032LFDBQ-13
Diodes Incorporated
DMP2160UFDBQ-7
Diodes Incorporated
DMN2041UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN2050LFDB-7
Diodes Incorporated
DMP2100UFU-13
Diodes Incorporated
DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
DMN66D0LDW-7
Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-1FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C8N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel