casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMP2100UFU-13
codice articolo del costruttore | DMP2100UFU-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP2100UFU-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP2100UFU-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.4nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 906pF @ 10V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2030-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2100UFU-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP2100UFU-13-FT |
ZXMD65P02N8TA
Diodes Incorporated
ZXMD65P02N8TC
Diodes Incorporated
ZXMD65P03N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN10A08DN8TC
Diodes Incorporated
ZXMN2A04DN8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A04DN8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A06DN8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A06N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A09DN8TC
Diodes Incorporated
ZXMN6A11DN8TC
Diodes Incorporated
A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel