casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN2041UFDB-7
codice articolo del costruttore | DMN2041UFDB-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2041UFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2041UFDB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 713pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2041UFDB-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2041UFDB-7-FT |
ZXMD65N02N8TA
Diodes Incorporated
ZXMD65N03N8TA
Diodes Incorporated
ZXMD65P02N8TA
Diodes Incorporated
ZXMD65P02N8TC
Diodes Incorporated
ZXMD65P03N8TA
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
ZXMN3A06N8TA
Diodes Incorporated
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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