casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON3814
codice articolo del costruttore | AON3814 |
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Numero di parte futuro | FT-AON3814 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON3814 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (2.9x2.3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON3814 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON3814-FT |
DMN5L06DWK-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UT-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-7
Diodes Incorporated
BSS138DW-7-F
Diodes Incorporated
DMC3400SDW-13
Diodes Incorporated
DMC3400SDW-7
Diodes Incorporated
DMG1016UDW-7
Diodes Incorporated
DMN2004DWK-7
Diodes Incorporated
DMN33D8LDW-13
Diodes Incorporated
ICE5LP2K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005A-2AC
Microchip Technology
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
Intel