casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMG1016UDW-7
codice articolo del costruttore | DMG1016UDW-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG1016UDW-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG1016UDW-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.07A, 845mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 10V |
Potenza - Max | 330mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1016UDW-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG1016UDW-7-FT |
DMC6070LND-7
Diodes Incorporated
DMN2022UNS-13
Diodes Incorporated
DMN2028UFDH-7
Diodes Incorporated
ZXMD63P02XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63C02XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63P03XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63N02XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63N03XTA
Diodes Incorporated
ZXMD63C02XTC
Diodes Incorporated
ZXMD63C03XTA
Diodes Incorporated
XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel