codice articolo del costruttore | AOC2421 |
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Numero di parte futuro | FT-AOC2421 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOC2421 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 1.5A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 752pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-AlphaDFN (0.97x0.97) |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOC2421 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOC2421-FT |
DMN2400UFB-7
Diodes Incorporated
DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
DMP21D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMP32D5SFB-7B
Diodes Incorporated
DMN62D1SFB-7B
Diodes Incorporated
DMN65D8LFB-7
Diodes Incorporated
DMN2250UFB-7B
Diodes Incorporated
DMP56D0UFB-7B
Diodes Incorporated
DMN2300UFB-7B
Diodes Incorporated
DMN2005LPK-7
Diodes Incorporated
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel