casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP21D0UFB4-7B
codice articolo del costruttore | DMP21D0UFB4-7B |
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Numero di parte futuro | FT-DMP21D0UFB4-7B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP21D0UFB4-7B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 770mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 495 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.54nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 430mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP21D0UFB4-7B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP21D0UFB4-7B-FT |
ZXMN3A02X8TA
Diodes Incorporated
ZXMN2A02X8TA
Diodes Incorporated
ZXM64N02XTC
Diodes Incorporated
ZXM64N03XTA
Diodes Incorporated
ZXM64N03XTC
Diodes Incorporated
ZXM64P02XTC
Diodes Incorporated
ZXM64P03XTC
Diodes Incorporated
ZXMN2A02X8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A02X8TC
Diodes Incorporated
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel