casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / AOB10B60D
codice articolo del costruttore | AOB10B60D |
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Numero di parte futuro | FT-AOB10B60D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Alpha IGBT™ |
AOB10B60D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 10A |
Potenza - Max | 163W |
Cambiare energia | 260µJ (on), 70µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 17.4nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 10ns/72ns |
Condizione di test | 400V, 10A, 30 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 105ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOB10B60D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOB10B60D-FT |
FGB20N60SFD
ON Semiconductor
FGB20N60SFD-F085
ON Semiconductor
FGB20N6S2
ON Semiconductor
FGB20N6S2D
ON Semiconductor
FGB30N6S2
ON Semiconductor
FGB30N6S2D
ON Semiconductor
FGB30N6S2DT
ON Semiconductor
FGB30N6S2T
ON Semiconductor
FGB40N60SM
ON Semiconductor
FGB40N6S2
ON Semiconductor
EX128-TQG100A
Microsemi Corporation
XC7K160T-2FBG676C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
EP2AGX45CU17I3N
Intel
5SGXMA3H2F35I3LN
Intel