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ON Semiconductor FGB30N6S2DT

Name: FGB30N6S2DT
Brand: ON Semiconductor
SKU: FGB30N6S2DT
Availability: InStock
Rating: 4.7 (76 reviews)

Numero parte MFG: FGB30N6S2DT

quantità disponibile: 83220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - IGBT 600V 45A 167W TO263AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FGB30N6S2DT.pdf

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FGB30N6S2DT specificazioni

codice articolo del costruttore	FGB30N6S2DT
Numero di parte futuro	FT-FGB30N6S2DT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FGB30N6S2DT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	45A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 12A
Potenza - Max	167W
Cambiare energia	55µJ (on), 100µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	23nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	6ns/40ns
Condizione di test	390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	46ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FGB30N6S2DT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FGB30N6S2DT-FT

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