casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / FGB30N6S2D
codice articolo del costruttore | FGB30N6S2D |
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Numero di parte futuro | FT-FGB30N6S2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGB30N6S2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 108A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Potenza - Max | 167W |
Cambiare energia | 55µJ (on), 100µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 23nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 6ns/40ns |
Condizione di test | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 46ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGB30N6S2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FGB30N6S2D-FT |
SGS10N60RUFTU
ON Semiconductor
SGS13N60UFDTU
ON Semiconductor
SGS23N60UFDTU
ON Semiconductor
SGS5N150UFTU
ON Semiconductor
SGS5N60RUFDTU
ON Semiconductor
SGS6N60UFDTU
ON Semiconductor
SGS6N60UFTU
ON Semiconductor
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor
FGP5N60LS
ON Semiconductor
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor
A3PN015-QNG68
Microsemi Corporation
A3PN020-1QNG68I
Microsemi Corporation
XCV100E-6FG256I
Xilinx Inc.
APA1000-LG624M
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517I4
Intel
LFEC10E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27I1SG
Intel