casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AO8810#A
codice articolo del costruttore | AO8810#A |
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Numero di parte futuro | FT-AO8810#A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO8810#A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1295pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO8810#A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO8810#A-FT |
BSL214NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL214NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL215CH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL215CL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL215PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL306NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL308CL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies
AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation