casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSL308PEL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSL308PEL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSL308PEL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL308PEL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL308PEL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL308PEL6327HTSA1-FT |
SI1902CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1900DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1902DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1902DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG6301N
ON Semiconductor
FDG6303N
ON Semiconductor
FDG6304P
ON Semiconductor
FDG6306P
ON Semiconductor
FDG6308P
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FDG6316P
ON Semiconductor
A3PN030-ZQNG68I
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1517C
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XC3S500E-4PQ208I
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XC4020XL-3PQ208I
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AGL250V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7H1F35C2
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation