casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSL306NL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSL306NL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSL306NL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL306NL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL306NL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL306NL6327HTSA1-FT |
FDG6322C
ON Semiconductor
SI1900DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1926DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1902CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1900DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1902DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1902DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG6301N
ON Semiconductor
FDG6303N
ON Semiconductor
FDG6304P
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10CX220YU484E6G
Intel
EP4CE22E22C7
Intel
5SGSMD8N3F45I4N
Intel
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel