casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO3403L_102
codice articolo del costruttore | AO3403L_102 |
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Numero di parte futuro | FT-AO3403L_102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3403L_102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3403L_102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO3403L_102-FT |
2N7236U
Microsemi Corporation
2N7636-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7639-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7640-GA
GeneSiC Semiconductor
2SJ598(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ599(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ599(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SJ599(0)-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SJ600-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ601(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.