casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SJ598(0)-Z-E1-AZ
codice articolo del costruttore | 2SJ598(0)-Z-E1-AZ |
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Numero di parte futuro | FT-2SJ598(0)-Z-E1-AZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SJ598(0)-Z-E1-AZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ598(0)-Z-E1-AZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SJ598(0)-Z-E1-AZ-FT |
NTMTS0D6N04CTXG
ON Semiconductor
PMPB29XNEAX
Nexperia USA Inc.
DMP2033UCB9-7
Diodes Incorporated
EKV550
Sanken
FKP202
Sanken
NVATS5A107PLZT4G
ON Semiconductor
NVATS5A108PLZT4G
ON Semiconductor
NVATS68301PZT4G
ON Semiconductor
NVD5C632NLT4G
ON Semiconductor
SIA430DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel