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GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA
- Numero parte MFG
- 2N7636-GA
- quantità disponibile
- 87170 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- GeneSiC Semiconductor
- Breve descrizione
- - TRANS SJT 650V 4A TO276
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- 2N7636-GA.pdf
2N7636-GA specificazioni
| codice articolo del costruttore | 2N7636-GA |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-2N7636-GA |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 2N7636-GA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-276 |
| Pacchetto / caso | TO-276AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2N7636-GA Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | 2N7636-GA-FT |
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