casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V424L10YG
codice articolo del costruttore | 71V424L10YG |
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Numero di parte futuro | FT-71V424L10YG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V424L10YG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 36-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V424L10YG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V424L10YG-FT |
71V416L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel