casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V416S12YG8
codice articolo del costruttore | 71V416S12YG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V416S12YG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416S12YG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S12YG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V416S12YG8-FT |
71V416L12BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel