casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V416S12YG
codice articolo del costruttore | 71V416S12YG |
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Numero di parte futuro | FT-71V416S12YG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416S12YG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S12YG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V416S12YG-FT |
71V416L12BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation