casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7130LA20J8
codice articolo del costruttore | 7130LA20J8 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-7130LA20J8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7130LA20J8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7130LA20J8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7130LA20J8-FT |
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GR3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2AZA6E
STMicroelectronics
NAND01GW3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation