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Micron Technology Inc. NAND01GW3B2BZA6E

Numero parte MFG
NAND01GW3B2BZA6E
quantità disponibile
14070 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
- IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NAND01GW3B2BZA6E specificazioni

codice articolo del costruttore NAND01GW3B2BZA6E
Numero di parte futuro FT-NAND01GW3B2BZA6E
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NAND01GW3B2BZA6E Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 30ns
Tempo di accesso 30ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 63-VFBGA (9x11)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND01GW3B2BZA6E Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NAND01GW3B2BZA6E-FT

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