casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NAND01GW3B2AZA6E
codice articolo del costruttore | NAND01GW3B2AZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-NAND01GW3B2AZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND01GW3B2AZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 30ns |
Tempo di accesso | 30ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GW3B2AZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NAND01GW3B2AZA6E-FT |
M93C66-MN6T
STMicroelectronics
M93C66-MN6TP
STMicroelectronics
M93C66-WMN6
STMicroelectronics
M93C66-WMN6T
STMicroelectronics
M93C76-MN6P
STMicroelectronics
M93C76-MN6TP
STMicroelectronics
M93C76-WMN6P
STMicroelectronics
M93C76-WMN6T
STMicroelectronics
M93C86-MN6
STMicroelectronics
M93C86-MN6P
STMicroelectronics
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel