casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 5HN01C-TB-H
codice articolo del costruttore | 5HN01C-TB-H |
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Numero di parte futuro | FT-5HN01C-TB-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
5HN01C-TB-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5HN01C-TB-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 5HN01C-TB-H-FT |
2N6770
Microsemi Corporation
2N6770T1
Microsemi Corporation
2N6782U
Microsemi Corporation
2N6784U
Microsemi Corporation
2N6788U
Microsemi Corporation
2N6790U
Microsemi Corporation
2N6796U
Microsemi Corporation
2N6798U
Microsemi Corporation
2N6800U
Microsemi Corporation
2N6802U
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation